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                930nm被動鎖模摻釹全光纖結構激光器

                編輯:本站  來源:本站  日期:2017年3月9日

                該款型號的振蕩器采用線型腔結構設計,利用半導體可飽和吸收鏡(SESAM)現實被動鎖模,如圖所示。采用的這款SESAM的高反波段為925~1020nm,調制深度30%,非飽和損失20%,消光比50%,弛豫時間常數500fs。振蕩器的抽運源為光纖耦合輸出的單模半導體激光器,中心波長808nm,最大輸出功率200mW。泵浦光通過一個808/930nm的波分復用器耦合進入光纖布拉格光柵(FBG),其中心波長930nm,反射率99.6%,帶寬0.42nmFBGSESAM構成諧振腔,可有效定義振蕩器起振波長,很好的抑制了摻釹光纖中四能級輻射躍進,實現了穩定的三能級系統運轉。增益介質為長8cm的雙包層摻釹光纖(Nufern PM-NDF-5/125),纖芯直徑為5um,包層直徑為125um,該光纖對808nm激光的包層吸收系數為1.1dB/m,對應的纖芯吸收系數為687.5dB/m。用WDM930nm端為振蕩腔的檢測端,鎖模激光脈沖從激光分束的30%端輸出,70%反饋回激光腔內。

                鎖模脈沖經過隔離器后進入摻釹光纖放大器,如圖中(b)所示,該放大器使用的抽運源為兩個多模的808nm半導體激光器,最大平均輸出功率為3.5W;增益介質為一段10m長的W型雙包層摻釹光纖(IXF-2CF-ND-0-5-125-D),該光纖在808nm處的包層吸收率為0.15dB/m,纖芯與包層直徑分別為5um125um,鎖模脈沖由功率放大器放大后經隔離器進行輸出。激光器中使用的無源光纖皆為HI780,纖芯尺寸為4/125um,此款光纖可保證930nm波段激光單模傳輸。

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